고급물리:전류와 저항
편집하기 (부분)
둘러보기로 이동
검색으로 이동
경고:
로그인하지 않았습니다. 편집을 하면 IP 주소가 공개되게 됩니다.
로그인
하거나
계정을 생성하면
편집자가 사용자 이름으로 기록되고, 다른 장점도 있습니다.
스팸 방지 검사입니다. 이것을 입력하지
마세요
!
=답= {| class="wikitable" ! colspan="2" |전류는 어떻게 흐르는 걸까?(시간 많이 줬으니까 자세하게 표현해보세요.) |- !답변 !선생님코멘트 |- |전위차가 발생하여 전압이 걸리면 전자의 흐름이 발생하며 전류가 흐름 전기가 저장되거나 생성되게 되면은 일정 수치의 전위를 가지게 된다. 그로 인해 전위차가 생기게 되고 고전위에서 저전위로 전류가 흐르게 된다. |굳 더 근본적으로 전기장에 대해 다루어주길 의도했어요~ |- |전지에서 출발하여 움직이는 전자가 도선 표면에 전기장을 만들어내고 이 전기장에 따라 또 전자가 가속되며 전하가 생기고, 전류가 흐른다. |말을 조금 다듬으면 좋을듯! 전자가 가속되며 전하가 생긴다는 말이 좀 이상하죠?? |- |전류가 흐르는 원리가 전자가 다른 전자를 밀어낸다는 추측을 했는데 이번에 배우고 전류는 전기장이 가해져 전자들이 에너지를 받아 이동하는것? 이라고 알게되었습니다. |굳. |- |도체의 자유전자가 양성자와 부딪혀 생성되는 전기장으로 도체의 전 부분이 전하를 띄기에 |?? 자유전자와 양성자가 부딪히면 전기장이 왜 생겨;;? |- |전기가 저장되거나 생성되게 되면은 일정 수치의 전위를 가지게 된다. 그로 인해 전위차가 생기게 되고 고전위에서 저전위로 전류가 흐르게 된다. |흠... 보통은 전위가 먼저 아닌가;;? |- |전자의 흐름으로 만들어진다. 이러한 전자의 흐름은 전기장에 의하여 만들어진다. 전기장은 전하에 의하여 만들어진다. 따라서 전류는 전하에 차이에 의하여 만들어 진다. |좋은 접근입니다! |- | | |- | | |- | | |- | | |- ! colspan="2" | |- !답변 !선생님코멘트 |- | | |- | | |- | | |- | | |- | | |- | | |- | | |- | | |- | | |- | | |- ! colspan="2" |10m 길이의 구리 전선(원통형)의 지름이 2mm일 때, 이 전선을 통해 5A의 전류가 흐를 때, 전선 내부의 전자의 평균 이동 속도는 얼마인가요?(전자의 전하량은 e, 전자의 평균 밀도는 n이라 표기하자.) |- !답변 !선생님코멘트 |- | |전자의 평균 이동 속도 = 전류 / (전자의 전하 x 전자의 밀도 x 전선 면적) <math>v= \frac{I}{en \pi 1 \times 10^{-3*2}}</math> |- |5 = pi*e*v*n를 이용? |네, 좋은 접근입니당 |- |전자의 평균 밀도란 전자의 부피 당 질량 이니 전자의 부피를 먼저 구해야 한다. 부피는 속력 v로 t초 만큼 이동하면 지름이 2mm이니까 부피가 4vt pie가 된다. 이를 n 곱하기 e를 하면 부피 분에 1이니까 이와 같다고 하고 구하면 되지 않을까요? |pie???!? 그리고 mm니까, 이를 m단위로 바꿔주는 과정도 필요할 것 같아요. |- |1mm/s 미만 차피 전선에서 마구 부딪히면 속도가 느려지기에 1mm/s 미만이다 |진짜 성의 없네; |- |횡단면적을 구하고 비저항값을 공식을 이용해 알아내서 모든 값들을 I=1/p*A/L*V 공식에 대입한다. |음, 굳. p가 뭔진 모르겠지만; 그리고 수식을 파악하기가;; |- |전체전하량 = n x (4ㅠ(mm^2) x v x t) = I x t = 5 x t -> v = 5n/4ㅠ |오예, 함정?에 걸렸어! |- |전류의 세기는 도선의 단면적에 1초 동안 흐르는 전자의 수이다. 따라서 단면적인 4*pi(mm)^2에 5e만큼에 전자가 1초 동안 지나 간 것이다. 그리고 전자의 평균 밀도가 n이므로 전선 내부에는 5n에 전자가 있다. |잉? 평균 밀도가 전류에 영향을 미치긴 하지만, 5n이라니, 관계성이 조금;; |- |전선 내부의 전자의 평균 이동 속도를 계산하기 위해서는 몇 가지 중요한 물리적 관계를 사용할 수 있습니다. 먼저, 전류와 전자의 평균 밀도 사이에는 다음과 같은 관계가 있습니다: 전류 (I) = 전자의 평균 밀도 (n) × 전자의 전하량 (e) × 전자의 평균 이동 속도 (v) 여기서, I는 전류 (5A) n은 전자의 평균 밀도 e는 전자의 전하량 (일반적으로 1.6 x 10^-19 쿨롱) v는 전자의 평균 이동 속도 전선의 지름과 전자의 평균 이동 속도 간의 관계를 구하기 위해 전선의 단면적을 계산해야 합니다. 전선의 단면적은 다음과 같이 구할 수 있습니다: 전선의 단면적 (A) = π × (반지름)^2 여기서 반지름은 지름의 절반, 즉 1mm 또는 0.001m입니다. 전선의 길이 (L)는 10m로 주어졌습니다. 전선 내부의 전자의 평균 밀도 (n)는 전선의 천이전도율과 관련이 있으며, 전류 밀도 (J)와 전기성분 (σ)을 사용하여 다음과 같이 계산할 수 있습니다: n = J / (e × σ) 이제, 전류 밀도 J는 전류 I를 전선의 단면적 A로 나누어서 계산할 수 있습니다: J = I / A 전선의 전기성분 (σ)은 구리의 전기저항 (ρ)와 전선의 길이 (L) 및 전선의 단면적 (A)에 따라 다음과 같이 계산할 수 있습니다: σ = (1 / ρ) × (L / A) 여기서, 구리의 전기저항 (ρ)는 일반적으로 알려진 값입니다. 이제 계산을 시작하겠습니다. 먼저, 전선의 단면적을 계산합니다: A = π × (0.001m)^2 ≈ 3.1415 x 10^-6 m^2 다음으로, 전선의 전기성분 (σ)를 계산합니다. 구리의 전기저항 값은 대략 1.68 x 10^-8 옴∙m이라고 가정하겠습니다. σ = (1 / 1.68 x 10^-8 옴∙m) × (10m / 3.1415 x 10^-6 m^2) ≈ 1.899 x 10^7 S/m (시멘스/미터) 이제 전자의 평균 밀도 (n)를 계산할 수 있습니다: n = (I / A) / (e × σ) n = (5A / 3.1415 x 10^-6 m^2) / (1.6 x 10^-19 쿨롱 × 1.899 x 10^7 S/m) n ≈ 1.64 x 10^28 전자/m^3 마지막으로, 전자의 평균 이동 속도 (v)를 구하기 위해 다음의 관계식을 사용합니다: I = n × e × v v = I / (n × e) v = (5A) / (1.64 x 10^28 전자/m^3 × 1.6 x 10^-19 쿨롱) v ≈ 1.95 x 10^-4 m/s 따라서, 이 전선 내부의 전자의 평균 이동 속도는 약 1.95 x 10^-4 미터/초입니다. |;;; 이렇게까지;;?!? GPT냐? |- |I=nqAv이므로 v=I/nqA. 각 값을 대입하면, v=5000/ne [m/s] |깔끔하십니다. |- | | |}
요약:
학교의 모든 지식. SMwiki에서의 모든 기여는 크리에이티브 커먼즈 저작자표시-비영리-동일조건변경허락 라이선스로 배포된다는 점을 유의해 주세요(자세한 내용에 대해서는
학교의 모든 지식. SMwiki:저작권
문서를 읽어주세요). 만약 여기에 동의하지 않는다면 문서를 저장하지 말아 주세요.
또한, 직접 작성했거나 퍼블릭 도메인과 같은 자유 문서에서 가져왔다는 것을 보증해야 합니다.
저작권이 있는 내용을 허가 없이 저장하지 마세요!
취소
편집 도움말
(새 창에서 열림)
둘러보기 메뉴
개인 도구
로그인하지 않음
토론
기여
로그인
이름공간
문서
토론
한국어
보기
읽기
편집
원본 편집
역사 보기
더 보기
검색
둘러보기
대문
최근 바뀜
임의의 문서로
미디어위키 도움말
도구
여기를 가리키는 문서
가리키는 글의 최근 바뀜
특수 문서 목록
문서 정보